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簡要描述:*原子沉積系統(tǒng)ALD,源于*的技術。是一種能以原子級精度將薄膜覆蓋沉積到各種基底上的方法。可以根據(jù)客戶不用的應用選擇不同的配置,價格優(yōu),性能好。
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原子沉積系統(tǒng)ALD
標準型(Standard )設備
價格低、質(zhì)量高、可任選附件進行搭配
結構簡單,操作方便,后期維護簡單易行
用途廣,適合各種基底材料
原子沉積系統(tǒng)ALD ——擴展型(Flexivol)設備
腔室體積可根據(jù)用戶樣品的尺寸靈活調(diào)節(jié),同一腔室可通過簡單的調(diào)節(jié)適用于不同厚度的樣品
增多前驅體源入口數(shù)目,避免腔室體積增大對前驅體化學源氣氛分布的影響
ALD原子層沉積系統(tǒng)——高度定制化(Non-Standard)設備
為工業(yè)客戶提供薄膜沉積方案
放大基于標準研究型設備檢驗的相同技術
根據(jù)客戶的特殊需求,加工定制,滿足特殊應用及大規(guī)模的生產(chǎn)需要
研發(fā)(R&D)服務
開發(fā)新的薄膜沉積方案
診斷、改進現(xiàn)有ALD的工藝
為潛在的客戶做覆膜演示
薄膜沉積工藝咨詢
原子層沉積系統(tǒng)ALD技術參數(shù)
不銹鋼材質(zhì)腔室,根據(jù)客戶樣品尺寸有不同的腔室直徑(D < 200 mm, D = 200 mm, D > 200 mm)和高度(H = 20 mm, H = 50 mm)可選;前驅體進樣系統(tǒng)標配四路(包含冷和熱兩種前軀體),可配至八路
前驅體進樣系統(tǒng)配有快速氣動閥門
多段溫度控制
前驅體溫控0-200 °C,精度1 °C
腔室溫控0-300 °C ,精度1 °C
進出腔室管路溫控0-150 °C ,精度1 °C
基本壓強 10^−1/10^−3 mbar
設備尺寸 1000x600x1000 mm
觸控控制系統(tǒng)
系統(tǒng)當前狀態(tài)信息顯示:氣流速度、溫度、壓力和閥門開度等
工藝監(jiān)控:溫度和壓力等
偏差報警和安全鎖
菜單操作,實時監(jiān)控
可增配選項
等離子體發(fā)生器 借助等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ALD性能
臭氧發(fā)生器 提供強氧化劑,增大ALD生長的前驅體選擇范圍
石英晶體微天平 在線監(jiān)測薄膜沉積的厚度
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